第140章 诺贝尔奖-第2/3页

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  “其实我在西德的时候,就有点觉得奇怪了。从半导体领域,跳到了完全是南辕北辙的软件编程。两者之间几乎完全没有重合点。”

  “对啊,而且时间上完全对不上。他在MEMS成功之后,立刻启动了LED项目,按照MOCVD中包含的技术水平,他就算全职工作,也需要等到2005年以后,才能有所成就。而从你给的信息来看,他在那个时间点,已经去西德工作了啊。”曲燕秋继续低声说。

  “是啊......”

  陈泉无意识的附和。

  以前两个人的关注点,只是‘她们’,研究‘她们’是谁,目的何在。没有想到,“他”的身上,居然也藏着如此多的秘密。

  “我其实一直都有观察成兴,可怎么观察,也看不出他有什么特殊之处。如果他真有这样的能力,你的那个完美竞赛,根本就不用比了。认输就好。”

  “其实也未必。”陈泉倒不这么认为。

  “为什么?”

  “你觉得我是一个真正的天才吗?”陈泉问,结果收获了摇头。“我是碰到了奇遇,他会不会也有什么奇遇呢?”

  ......

  “算了,不要想这些了。越想越不合理。”

  曲燕秋很快转移了话题。“我还查到了一些东西,可能你会感兴趣。”

  “什么?”

  “诺贝尔奖!”要不是在图书馆里,曲燕秋都要尖叫了。“蓝光LED,有可能拿到诺贝尔奖!”

  “真的假的?”

  陈泉惊得直接站了起来。

  “当然了。”

  曲燕秋指着杂志,逐字逐句的翻译。“冷光源,LED的发光效率,彻底碾压了传统的热光源。一旦其在最后的短板,蓝光LED上有所突破,冷光源将会彻底替代传统的白炽灯,完成技术的更新换代。从这一点上看,蓝光LED技术,完全有资格提名诺贝尔奖。”

  “哇哦!”

  陈泉吃惊的接过杂志,逐行阅读。

  为完美竞赛寻找合适的项目,一直是两个人的心病。由于看不到希望,两人才把目光转向了产业链。

  “对了,这台MOCVD到了以后,蓝光LED就能完成了吧。”

  “哪有这么容易。”

  陈泉摇头。

  “什么?”曲燕秋无比失望。

  “你看这里。”陈泉翻出一本1985年的期刊。“日本人,天野浩提出了个两步法。通过AIN缓冲层的做法,他们也找到了制备GaN的方法。

  天野浩的做法是,在低温条件下,先生长一层AlN缓冲层,由于缓冲层释放了GaN和蓝宝石之间的失配应力,再提高温度制备的GaN晶体,质量显著改善。”

  “所以?”

  “也就是说,即使有了这台MOCVD,我们只是追平了天野浩在5年前的成果而已。”

  “可你不是说,有了这台设备,蓝光LED就可以做出来了吗?”

  “是的。我确实说过,但这不等于,蓝光LED只有MOCVD是关键设备,GaN层的制备,是唯一的关键步骤。”

  “那其他步骤呢?”

  “这篇综述里有写。”陈泉又找到了另外一本期刊。

  GaN发光二极管面临的最大症结,是P型掺杂始终遇到困难。在GaN中经常使用的p型掺杂剂是Zn或者Mg,但是掺入杂质后,GaN往往仍体现高阻特性,这意味着p型掺杂剂并没有被激活,没有起作用。

  除了P型掺杂失效的问题,还有一些其它杂七杂八的问题。

  GaN路线是人类研究蓝光LED,研究时间最长的路线,所以陈泉找到了一堆文献。

  “你能确定,这些问题,‘他’都有答案了?”看到还有如此多的问题要解决,曲燕秋感觉从天堂,一下子就又掉回了地狱。

  “是。相关问题,他肯定都解决了。”

  陈泉这次的答复,让曲燕秋再次燃起了希望。

  “他怎么解决的?”

  “你记不记得,当时我说,这个蓝光LED跟MEMS不一样,只是一层很模糊的记忆。”

  “对啊,我还记得。”

  “之所以这些记忆非常模糊,因为蓝光LED并不是在微电子实验室里完成的。”

  “哦?不是在微电子实验室,又是在哪里?”曲燕秋不以为意。“不论在哪里,我们去就好了。”

  “不!我们没有办法去那个实验室,因为那个实验室并不存在。”

  “不存在?什么叫不存在?”……
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